新員工實習總結
從崗前培訓到崗位入職，兩個多月的時間猶如白駒過隙，所幸我能逐步地從濱松光子的規章制度、精神文化及歷史使命，到公司的主要產品(pmt)及上下游產業鏈等方面取得初步的瞭解與認識。在領導與同事們悉心地指導和幫助下，我對閃爍體部的特色文化、主要產品及各個工序與作業等都主動的進行了學習與實踐，同時我也意識到自己由於初涉職場，在工作、生活等方面還存在很多的不足。下面就這段時間的實習經歷，基於收穫與存在的不足兩方面進行剖析與總結，使自己早日成為公司的優秀員工，與濱松共同成長與發展。
一、 對閃爍體部及各個工序的學習與認識
在蔣經理、張老師等領導的關心下，由師父韓工和小閆的悉心指導和幫助，先後深入部門各個工序進行觀摩與學習，對每個工序都有了初步的瞭解，熟悉並瞭解了各個工序及作業的任務與流程。
1) 晶體生長
透過理論學習與主動實踐，瞭解了晶體生長的工藝流程，如設計配料與裝料、抽真空與封焊工藝、裝爐、溫場設計、除錯與記錄以及出爐等，每個作業都有很多技巧，均為非實踐不能領悟的技藝，在以後的工作中需向王師傅等同事求教，加以深入學習並掌握。
2) 晶體加工
晶體加工是部門最重要的工序之一，同時緣於工作所需，入職以來在加工學習的機會較多。加工主要有晶體條(塊)與陣列等作業，還包括內外圓、劃片機、銑床、車床等在內的大型加工機床等。透過同事們悉心的授教與自我總結，使我獲益匪淺。其中個別作業可獨立操作，如img-m2d二維影像測量軟體的應用、晶體打磨與拋光等作業。
3) 陣列
陣列是部門最重要、要求最高的工序之一。陣列置於二樓，主要包括灌膠、打磨與拋光(底表面、側面與端面)、大nai封裝、效能測試(光輸出、餘輝等)等作業。在劉工、姚工等的指導下，對晶體測試、封裝、陣列及晶體條的打磨與拋光均有了初步的認識。學會了獨立用特氟龍封裝需要光輸出測試的晶體，同時結合理論學習，熟悉了效能測試基本原理等有關知識。另外，由於崗位工作所需，在小閆師傅等的指導下，學會了獨立操作金剛石線切割機進行cwo晶片切割、籽晶加工等操作，也掌握了一些常見問題的解決方法。
4) 提純
提純不像其他工序那麼顯眼，但是對部門卻極其重要。在同事的指導下，我瞭解了提純的幾個基本作業，如溶料、水浴洗料、過濾、煮料、水浴結晶、真空烘料等。企業對生產廢料的處理及回收利用都是非常的重視，特別是對於生產原料極其昂貴、加工廢料比例極大，存在潛在汙染環境等因素的企業，提純工藝更具有全域性意義。並且由於近期原料供應緊張，提純的重要性尤為凸顯。
5) 塑膠閃爍體
塑閃工序生產的塑膠閃爍體為部門填補了有機閃爍體領域的空白，可以發揮塑膠閃爍體尺寸大、價格低、產品尺寸形貌多樣化等優點，與部門傳統優勢產品——無機閃爍體(csi(tl)等)形成優勢互補。該工序主要包括原料的分餾與提純、聚苯乙烯的聚合(添加發光物)、加工、打磨與拋光、測試與封裝等。目前，塑膠閃爍體在產品閃爍效能、成本控制上還有很多需要改進與提高的地方。
6) 科研
所有的科研活動都必須要源於生產，服務於生產。所以，自從我被安排到科研崗位，在師父韓工與小閆的影響下，我深知要想搞好科研，除了要有紮實的理論基礎，還必須要立足於生產，紮根於生產一線。自己不僅要能夠開發出新的產品，還要能夠全面瞭解甚至大體上掌握新產品的`生產、加工、測試、包裝、市場及原料的回收利用等工序。同時只有科研人員在全面掌握產品從研發到生產再到銷售等的全部流程後，才能在其過程中發現問題與不足，才能逐步改進、創新，最終促進科研，使科研更有價值。
目前，部門主要的科研專案有大尺寸nai專案、半導體材料tlbr專案、純csi專案及cwo研製專案等，本人所在崗位屬cwo研製專案組。
二、對本職崗位的學習與認識
在張老師的帶領下，由韓工等前輩同事將cwo專案從無到有、從立項到搭建生長爐、從無數次的溫場設計與除錯到第一個晶體的試生長，從晶體存在大面積開裂、粘鍋、著色、效能低劣等缺點到能夠生長出完好、著色明顯改善、效能顯著提高的晶體……他們付出了大量的心血與努力，收穫了寶貴的經驗，為進一步提高晶體效能打下了堅實的基礎。相信在這樣的一個團隊裡，自己的科研能力會得到很好的鍛鍊，個人的各種素養也會得到全面提高。深信我一定能夠和這個團隊並肩作戰，把cwo專案順利開展下去。
兩個多月的實習生活中，cwo專案是我主要的工作與學習內容。在師父韓工和小閆深入的理論知識與豐富的經驗指導下，透過查閱大量的國內外相關文獻，同時結合晶體結構、晶體生長工藝與效能等理論知識，我對cwo閃爍晶體目前的研究現狀、本專案所取得成果、目前研究面臨的問題進行了全面的學習與瞭解。此外，主動參與實驗設計與配料、晶體生長過程與控制、退火工藝及樣品加工與測試等每一個主要的科研環節。同時積極和專案組成員研究討論目前遇到的各種問題及研究解決的對策與方案。
三、存在問題與解決思路
目前cwo專案組可以生長出完好、通透的晶體，但是與其他研究者類似，遇到致命的難題——晶體著色嚴重。晶體著色導致晶體光自吸收嚴重，光輸出難以達到要求。另外，晶體還存在(010)面嚴重解理的缺點，導致晶體生長，特別是晶體加工過程產生掉片、開裂等現象。
1)著色機理
據相關文獻及經驗總結，一般認為由於高溫熔融狀態下，cwo發生分解，cdo與wo3均易揮發，且cdo揮發速率更快，導致原料組分嚴重發生偏析，使得晶體產生大量的cd、w、o空位、各種包裹體等缺陷及wo3、wo42-等色心，導致晶體著色。同時原料的純度也是一個不可忽視的決定性因素。此外，個人認為晶體著色還有一個重要的原因是晶體生長本身產生的缺陷，因為可能籽晶定向不準確、生長工藝缺陷等因素造成晶體生長中產生大量的晶格扭曲及雜亂晶疇的出現，會導致晶體著色失透。至於哪種原因佔主導，還需要藉助精密的科研儀器進行系統性研究(可實現)。
2)分析與解決思路
①鎢酸鎘分解揮發
由於沒有確定鎢酸鎘分解溫度，難於可靠的判定cwo原料高溫下是以分子形式還是以分解的氧化物形式揮發為主，也不利於工藝的改進，故可以做熱重差熱測試，分析其分解溫度，再想辦法從裝置與工藝上解決。
②確定缺陷種類
晶體著色歸根結底是由於晶體存在大量的缺陷產生的，那麼探索晶體中存在的是何種缺陷，更確切的說是晶體中到底是以什麼缺陷為主，對尋找改善晶體著色方法有根本的指導作用。故研究晶體中空位、雜質等缺陷以及生長產生的結構缺陷等具有重要的意義，這些應該是可以透過科學儀器進行測試分析的。如果存在大量的晶體生長缺陷，那麼反覆的摻雜也只能是事倍功半，我們必須得從生長工藝與方法上下功夫。
③摻雜
對於目前認為的主要以cd空位及wo3色心等引起的缺陷主要採用摻雜的方式加以解決。我們從摻雜機理及雜質離子的消色機制去分析並選擇摻雜的離子。文獻報道，由於nb和tb的離子半徑和w接近，可以佔據w揮發產生的w空位，同時可以在一定程度上提高光輸出;另外，nb5+具有高溫變價釋放氧從而補氧空位的作用;過量的cd源可以抑制或彌補cd空位的產生等。結果表明cd、nb、tb的摻雜(單摻與共摻)起到了一定的作用，但是由於摻雜、生長工藝等還不成熟，其效果還不是很明顯，需要做進一步的探索工作。
稀土元素的摻雜，這裡主要指gd3+離子的摻雜。據報道gd3+離子的去色效果非常好，但是摻雜濃度一般不超過0.1%，否則會變成淡藍色。這主要可能有兩個原因，一個是gd3+離子本身有發淡藍光成分，另一個更主要的原因是gd3+離子的敏化作用，起到了能量傳遞的作用，使得吸收波長藍移，從而使吸收光譜的吸收限向高能端移動，提高晶體發光效率。
鑑於氧空位難以排出，可以採用陰離子摻雜的方式達到排除空位的效果。據文獻報道，f-離子可以作為最佳陰離子摻雜，因為f-與o2-離子半徑等極其相似，同時f-還可以起到增加光輸出的效果。
④原料的純度、籽晶的加工、晶體生長及退火工藝等因素都對晶體的閃爍性質有很重要的影響，有待開展進一步的探索工作。當然面臨的科研難題遠不止這些，相信透過逐步的探索、分析與歸納，我們一定可以克服這些難題。
四、下一步計劃
就前面所言，在這個擁有卓越領導和勤奮同事的優秀團隊裡面，我覺得這兩個多月取得了巨大的收穫。誠然，由於專業理論知識不夠紮實、工作經驗欠缺等原因，使我在很多地方還存在不足，如待人接物還有欠缺、儀器裝置操作熟練程度還有待加強、材料效能與深入的理論分析相結合的科研能力還有待提高等等。
鑑於此，在未來的工作中我將進一步加強晶體相關理論知識的學習，本著“問題—機理分析—解決方案—驗證問題”的科研思路逐步提高自己的科研能力並注重實際工作中具體操作能力的鍛鍊。當然，個人存在的不足遠不止於此，很多細節方面我會及時的改正，在學習與工作等各個方面積極向各位師父和同事們請教，以使自己能快速地適應公司，融入這個大家庭，成為公司優秀員工中的一員。
時光荏苒須當惜，風雨陰晴任變遷!
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